刷新周期

刷新周期通常指的是在计算机系统中，缓存或内存空间中的数据被清空并重新获取新的数据的周期。对于动态随机存取存储器（DRAM），刷新周期是一个关键参数，它决定了存储器的刷新频率。以下是DRAM刷新周期的相关信息：

刷新周期定义 ：刷新周期是对DRAM的所有存储单元恢复一次原状态的时间间隔。

典型标准 ：DRAM的标准刷新周期是每隔8ms到16ms刷新一次，但某些器件的刷新周期可以大于100ms。

刷新方式 ：

集中式刷新 ：在固定的刷新周期内（如2ms），先进行存储器的读写操作，然后再集中刷新所有行，这存在死区问题。

分散式刷新 ：将存储周期分为读写和刷新两个部分，刷新操作分散到每个存取周期内完成，没有死区时间。

异步式刷新 ：不规定固定的刷新周期，而是在2ms内对每一行进行一次刷新，刷新操作在存取周期的末尾进行。

刷新周期的长度直接影响到系统的性能和可靠性。随着技术的发展，刷新周期不断缩短，以满足高性能应用的需求。

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